Diferencia entre DDR, DDR2 y DDR3 RAM

Diferencia clave: DDR (DDR1), DDR2 y DDR3 son diferentes tipos de SDRAM que se usan en las computadoras. DDR2 proporciona una velocidad de transferencia más rápida, reloj de bus y es más fácil de usar en comparación con DDR1. DDR3 es una versión avanzada de la misma tecnología. Permite velocidades de bus más rápidas y un mayor rendimiento máximo que las tecnologías de memoria anteriores. Los tres recuerdos difieren en varios contextos como especificaciones técnicas y físicas.

La memoria RAM o de acceso aleatorio es una parte importante de una computadora, ya que cumple la función de una memoria a corto plazo. La memoria proporciona la facilidad para almacenar los datos de forma temporal. La memoria RAM es versátil en términos de versiones y velocidades. Es necesario comprender la diferencia entre los distintos tipos de RAM, de lo contrario, pueden surgir problemas de compatibilidad entre la computadora y la RAM.

DDR significa doble tasa de datos. DDR RAM permite dos transferencias de datos por ciclo de reloj. DDR, DDR2 y DDR3 son versiones diferentes basadas en la misma tecnología DDR. El diseño de las tres RAM se basa en la memoria de acceso aleatorio dinámico síncrono. La DDR también se conoce como proceso de doble bombeo, doble bombeo y doble transición.

DDR o DDR1 cae en la categoría de primera generación que evoluciona de la tecnología SDRAM. Para crear DDR1, se realizaron mejoras en la señalización de bajo voltaje de Stetch-Series, Stub-Series Terminated Logic, Stub-Series Terminated Logic y Stub-Series Terminated Series (SSTL_2), etc.

DDR2 cae en la segunda generación y puede verse como un sucesor de DDR1. Es capaz de proporcionar velocidades de datos de hasta 6, 4 GB / s. Es conocido por proporcionar un menor consumo en comparación con DDR1. Debido a los relojes más rápidos, la operación y señalización de 1.8 V, junto con un conjunto de comandos simplificado, DDR2 ha mejorado el rendimiento respecto a su predecesor.

DDR3 (tercera generación de DDR SDRAM) es una versión mejorada de DDR2. Ha mejorado específicamente en ancho de banda y consumo de energía. DDR3 funciona a velocidades de reloj de 400 MHz a 1066 MHz con anchos de banda teóricos que van desde 6.40 GB / s hasta 17 GB / s. El estándar DDR3 permite capacidades de chips de 512 megabits a 16 gigabits.

DDR1 se ha vuelto obsoleto, por lo que no se produce en una escala masiva en la actualidad. DDR2 y DDR3 se prefieren para mejores rendimientos.

Comparación entre DDR, DDR2 y DDR3 RAM:

DDR RAM

DDR2 RAM

DDR3 RAM

Forma completa

Doble velocidad de datos 1 memoria de acceso aleatorio

Memoria de acceso aleatorio de doble velocidad de datos 2

Memoria de acceso aleatorio de doble velocidad de datos 3

Velocidad máxima de transferencia teórica (MB / s)

DDR200 -1600

DDR266 - 2133

DDR333 - 2666

DDR400 - 3200

DDR2 (400) - 3200

DDR2 (533) - 4266

DDR2 (667) - 5333

DDR2 (800) - 6400

DDR2 (1066) - 8533

DDR3 (800) - 6400

DDR3 (1066) - 8500

DDR3 (1333) - 10666

DDR3 (1600) - 12800

Velocidad del bus (MHz)

DDR200 -100

DDR266 - 133

DDR333 - 166

DDR400 - 200

DDR2 (400) - 200

DDR2 (533) - 266

DDR2 (667) - 333

DDR2 (800) - 400

DDR3 (800) - 400

DDR3 (1066) - 533

DDR3 (1333) - 667

DDR3 (1600) - 800

voltaje

Funciona a un voltaje comparativamente más alto.

Más bajo en comparación con DDR y más alto en comparación con DDR3.

Funciona a un voltaje comparativamente más bajo.

Latencia tipica

3

5

7

Número de alfileres

184

240

240

Caracteristicas

  • Captura previa - basada en una arquitectura 2n-prefetch.
  • Cronometraje de transición doble: proporciona el doble del ancho de banda de SDRAM sin la necesidad de aumentar la frecuencia del reloj.
  • Stub-Series Terminated Logic_2 (SSTL_2) tecnología de señalización de bajo voltaje: utiliza la especificación de señalización e 2.5-V SSTL_2.
  • Bus de datos basado en luz estroboscópica: se utiliza para localizar los datos de una manera más precisa.
  • Conector de 240 pines.
  • Relojes mas rapidos
  • Operación 1.8-V y señalización.
  • Un conjunto de comandos simplificado
  • Un búfer de recuperación previa de ocho bits almacena más datos que el búfer de 4 bits de DDR2.
  • Topología de sobrevuelo para los comandos, direcciones, señales de control y reloj para mejorar la integridad de las señales.
  • La señalización de 1.5 V reduce el consumo de energía de la señalización de 1.8 V para DDR2.
  • Un sensor térmico integrado en el módulo DIMM le indica al chipset que acelere el tráfico de la memoria.

embalaje

Paquete delgado de contorno pequeño

Ball Grid Array

Ball Grid Array

Sucesor

DDR2

DDR3

DDR4

Luces estroboscópicas de datos

De un solo extremo

Único o diferencial

Solo diferencial

Módulos

DIMM de 184 pines sin búfer registrado; SODIMM de 200 pines; MicroDIMM de 172 pines

DIMM de 240 pines sin búfer registrado; SODIMM de 200 pines; MicroDIMM de 214 pines

DIMM de 240 pines (el mismo tamaño que DDR2 pero son eléctricamente incompatibles con los DIMM DDR2 y tienen una ubicación de muesca clave diferente). Los DDR3 SO-DIMM tienen 204 pines.

Prefetch Buffer (bits)

2

4

8

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